实用沟道造句案例

显示全部楼层 · 2026-1-9 09:35:56

1.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
2.骨干坝的布局应遵循三均衡原则，即单坝区间控制面积基本均衡，对干支沟的沟道控制基本均衡，单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。
3.为了使沟道效应最小，GaAs靶应稍偏离离子束的轴向。
4.沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。
5.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑。
6.湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。
7.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。
8.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。
9.沟道杂质浓度不同，界面态引起的器件特性的退化则不同。
10.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。
11.阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用。
12.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。
13.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。
14.它主要是调节在特征尺寸一定的情况下通过改变有效沟道尺寸来改变工作电流的大小。
15.不过沟道应力技术的引入使栅介电材料的替换推迟了若干代。
16.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。
17.P沟道MOSFET的外侧。高功率特的漏源电压。储存温度范围。
18.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本***略大于随机方向的阻止本***。
19.产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。
20.实验结果表明:阱和源漏极离子注入制程对浅沟道隔离性能有很大的影响。
21.屠体吊挂经过之处，应设有足够宽度之沟道以承接屠体所流滴之血水。
22.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
23.村周围成千上万的沟道、石堰，为收藏石头提供了绝佳的天然场所。
24.N沟道增强型垂直D-MOS晶体管。
25.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应润看造句，从而产生冲沟。
26.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。
27.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。
28.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。
29.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。
30.对于0。及0。以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。
31.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。
32.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。
33.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。
34.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
35.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。
36.当时，毛*席住在白育才家的五孔窑洞里，沟道对面是红军总部机关驻地，博古等人居住在此，相邻的同一排窑洞设有警卫排、伙房、机要室、电台部等。
37.基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置，对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。
38.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管，措置双沟道充电性能。
39.用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构。
40.沟道长度约共计超。
41.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。
42.在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化。
43.全区的护田林带已达公里，许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。
44.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。
45.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。
46.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。
47.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
48.黄土丘陵沟壑区治沟骨干工程泥沙淤积来源于坡面侵蚀、沟道侵蚀和库区岸坡坍塌。
49.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。
50.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。
51.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道。

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